中国科大微电子学院
  

龙世兵

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经历:
1995.9-2002.3 北京科技大学,学士,应用物理;硕士,材料物理
2002.4-2005.6 中国科学院微电子研究所,博士,微电子学与固体电子学
2005.7-2018.3 中国科学院微电子研究所,助理研究员、副研究、研究员
2018.3-至今 中国科学技术大学微电子学院,教授,常务副院长

简介:

从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件领域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多种国际著名学术期刊的审稿人。主持国家自然科学基金、科技部(863、973、重大专项、重点研发计划)、中科院等资助科研项目15项。在IEEE EDL等国际学术期刊和会议上发表论文100余篇,SCI他引3000余次,H因子30,2篇第一作者IEEE EDL论文入选ESI高引论文(累计引用居前1%的论文)。获得/申请专利100余项,其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际,74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。

荣誉:

2018年,中国科学院杰出科技成就奖,第3完成人
2016年,国家自然科学二等奖,第4完成人
2013年,国家技术发明二等奖,第6完成人
2017年,中国科学院创新交叉团队
2013年,国家自然科学基金优秀青年科学基金

论文:

Qiming He, Wenxiang Mu, Bo Fu, Zhitai Jia, Shibing Long*, Zhaoan Yu, Zhihong Yao, Wei Wang, Hang Dong, Yuan Qin, Guangzhong Jian, Ying Zhang, Huiwen Xue, Hangbing Lv, Qi Liu, Minghua Tang, Xutang Tao*, and Ming Liu*. Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4), 556-559.

Yuanjie Lv, Xingye Zhou*, Shibing Long*, Xubo Song, Yuangang Wang, Shixiong Liang, Zezhao He, Tingting Han, Xin Tan, Zhihong Feng, Hang Dong, Xuanze Zhou, Yangtong Yu, Shujun Cai, Member, IEEE, Ming Liu. Source-Field-Plated β-Ga2O3 MOSFET with Record Power Figure of Merit of 50.4 MW/cm2. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39. DOI: 10.1109/LED.2018.2881274

Qiming He, Wenxiang Mu, Hang Dong, Shibing Long*, Zhitai Jia, Hangbing Lv, Qiu Liu, Minghua Tang, Xutang Tao* and Ming Liu. Schottky barrier diode based on β-Ga2O3 (100) single crystal substrate and its temperature-dependent electrical characteristics. Applied Physics Letters, 2017, 110, 093503.

Yu Li, Shibing Long*, Qi Liu, Hangbing Lv, and Ming Liu*. Resistive switching performance improvement via modulating nanoscale conductive filament, involving the application of two-dimensional layered materials. Small, 2017, 13(35), 1604306.

Shibing Long, Xiaojuan Lian, Tianchun Ye, Carlo Cagli, Luca Perniola, Enrique Miranda, Ming Liu, and Jordi Suñé. Cycle-to-cycle intrinsic RESET statistics in HfO2-based unipolar RRAM devices. IEEE Electron Device Letters, 2013, 34(5), 623-625.

Shibing Long, Xiaojuan Lian, Carlo Cagli, Luca Perniola, Enrique Miranda, Ming Liu, and Jordi Suñé. A model for the set statistics of RRAM inspired in the percolation model of oxide breakdown. IEEE Electron Device Letters, 2013, 34(8), 999-1001.

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